RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2952
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link