RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
43
Autour de -95% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3114
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link