RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2925
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link