RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
74
117
Autour de -58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
74
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
1616
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link