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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
30
Autour de 30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
19200
Autour de 1.22 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.9
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
23400
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3774
2709
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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