RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
87
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3599
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link