RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
87
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2855
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link