RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
87
Autour de -248% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3001
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT451R7AFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link