RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
87
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2220
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link