RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
53
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3273
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link