RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
96
Autour de -336% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.5
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
18.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
4324
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link