RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,343.1
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
49
Intorno -44% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
34
Velocità di lettura, GB/s
5,135.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,343.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
843
2739
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link