RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
56
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
33
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
3157
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Segnala un bug
×
Bug description
Source link