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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
56
Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
37
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
2082
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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