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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
52
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
27
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3061
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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