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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
65
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.8
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
65
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1981
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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