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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
15.4
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
1989
AMD R5S38G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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