RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Confronto
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Punteggio complessivo
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
6.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
11.1
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2113
3114
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Confronto tra le RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link