Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    20 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.9 left arrow 12.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 29
    Intorno -21% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    20.0 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    15.9 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3713 left arrow 2925
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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