RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2912
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link