RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,135.0
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
51
Intorno -38% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
37
Velocità di lettura, GB/s
5,021.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,135.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2808
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link