Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 53
    Intorno 45% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 8.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 53
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.3 left arrow 10.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 8.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2227 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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