RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
9.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
39
Intorno -5% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2165
1949
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link