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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
5.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
28
Velocità di lettura, GB/s
8.8
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
12800
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1423
1920
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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