Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 31
    Intorno -11% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 8.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.9 left arrow 5.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    31 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.8 left arrow 11.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.1 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1423 left arrow 1920
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