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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
41
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.2
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
17
Velocità di lettura, GB/s
13.9
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
3714
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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