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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
14.4
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2267
3649
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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