RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
56
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
56
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link