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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
18.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2709
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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