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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
2,066.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2371
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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