Confronto tra le RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Punteggio complessivo

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 62

Intorno -130% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.1 1,843.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 6400

Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

542 3711

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns