RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
62
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
26
Velocità di lettura, GB/s
7.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link