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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
62
Intorno -226% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.1
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
21.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
19
Velocità di lettura, GB/s
7.4
25.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
21.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
4612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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