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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
65
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
36
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2570
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
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