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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
68
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,636.8
2,120.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
49
68
Velocità di lettura, GB/s
4,879.6
4,540.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,120.4
2,636.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
840
827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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