Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    49 left arrow 68
    Intorno 28% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,636.8 left arrow 2,120.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    49 left arrow 68
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,879.6 left arrow 4,540.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,120.4 left arrow 2,636.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    840 left arrow 827
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