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Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
66
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,167.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
22
Velocità di lettura, GB/s
2,885.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,167.9
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
284
3110
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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