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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Confronto
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,475.5
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
56
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8800
Intorno 2.18 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
32
Velocità di lettura, GB/s
4,878.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,475.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8800
19200
Other
Descrizione
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
598
1897
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Confronto tra le RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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