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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
57
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
28
Velocità di lettura, GB/s
6.8
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
2586
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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