RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
73
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
33
Velocità di lettura, GB/s
6.1
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
3110
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link