RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Confronto
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
12.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2144
2795
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link