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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
27
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
18
Velocità di lettura, GB/s
13.1
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2009
3529
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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