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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
60
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
33
Velocità di lettura, GB/s
6.8
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
2227
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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