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Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
75
Intorno -134% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
32
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
3279
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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