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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
75
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.8
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
41
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
7.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
1512
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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