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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno -178% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
27
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2892
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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