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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Confronto
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
8.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
4.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
27
Velocità di lettura, GB/s
8.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
4.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1196
2272
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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