RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2606U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
61
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
AMD R748G2606U2S 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
61
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2028
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2606U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link