RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
17.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3098
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link