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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
3187
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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