RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
42
Velocità di lettura, GB/s
12.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2034
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link