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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
43
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
43
Velocità di lettura, GB/s
13.6
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2276
2034
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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